
刘立,男,1998年1月出生,中共党员,工学博士。2025年毕业于安徽大学微电子学与固体电子学专业,参与多项国家重点研发计划课题、国家自然科学基金项目等。研究方向:集成电路设计,存内计算电路设计。
邮箱:liuli@ahszu.edu.cn
荣誉奖励
1.入选中国科协青年人才托举工程博士生专项计划(2024年);
2.2022年获安徽省研究生“创新创业之星”称号;
3.2022年获长三角科学道德和学风建设论坛“研究生创新实践之星”称号。
论文
1. Flip Point Offset-Compensation Sense Amplifier with Sensing Margin Enhancement for Dynamic Random-Access Memory, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS—II: EXPRESS BRIEFS, 2024, 71(4): 1759-1763. (第一作者)
2. A High Charge-Discharge Stability SRAM 10T1C XOR CIM Macro Applied in BCAM and Hamming distance,Microelectronics Journal,161,2025,1-9.(第一作者)
3. Design of radiation-hardened memory cell by polar design for space applications, Microelectronics Journal, 132, 2023, 1-8. (第二作者)
专利
1. 国家发明专利:10T1C-SRAM存算单元、存算阵列、及存算电路,专利号:ZL2024 1 0652070.9,第一发明人,授权。
2. 国家发明专利:一种读写分离的12T TFET SRAM单元电路,专利号:ZL 2022 1 0257495.0,第一发明人,授权。
3. 国家发明专利:一种用于SRAM阵列的列移位多位乘法二进制分解运算的电路结构,专利号:ZL 2021 1 0490070.X,第二发明人,授权。
竞赛获奖
1.2021年iCAN全国大学生创新创业大赛一等奖;
2.2022年全国工业和信息化技术技能大赛二等奖;
3.第五届全国大学生集成电路创新创业大赛二等奖;
4.第七届中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛铜奖;
5.第十三届“挑战杯”中国大学生创业计划竞赛铜奖;
6. 第五届中国研究生创新实践系列大赛“华为杯”创“芯”大赛全国三等奖;
7. 第三届中国研究生创新实践系列大赛“华为杯”创“芯”大赛全国三等奖;
8.第十届“挑战杯·华安证券”安徽省大学生创业计划竞赛金奖;
9.第八届安徽省“互联网+”大学生创新创业大赛金奖;
10.第七届安徽省“互联网+”大学生创新创业大赛金奖;
11.2022年安徽省第二届集成电路EDA精英赛学生组一等奖;
12.2021年安徽首届集成电路EDA精英赛“EDA开发学生组”一等奖;
13.第六届全国大学生集成电路创新创业大赛华中赛区二等奖;
14.第五届全国大学生集成电路创新创业大赛华中赛区二等奖;
15.第十一届“挑战杯·华安证券”安徽省大学生创业计划竞赛银奖。